买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM200GAL120DN2 IGBT 模块 1200V 200A GAL CH datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSM200GAL120DN2

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 1200V 200A GAL CH
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 1200V 200A GAL CH
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 2.5 V
在25 C的连续集电极电流 290 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 1.4 KW
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 HB 200GAL
封装
相关资料
属性
链接
代理商 BSM200GAL120DN2
BSM200GAR120DLC
BSM200GAR120DN
BSM200GAR120DN2
BSM200GB120DLC
BSM200GB120DLC_E3256
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深圳市亿联芯电子科技有限公司 18138401919 吴经理
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司 0755-23603360 杨先生
深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
深圳市百润电子有限公司 17876146278 梁
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市莱特斯电子科技有限公司 19176527791 江先生
  • BSM200GAL120DN2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价